Leistungselektronik mit Siliziumcarbid als Halbleiter von ZF.

Bei den Premiumfahrzeugen etabliert sich die 800-Volt-Architektur, für die ZF eine Leistungselektronik mit Siliziumcarbid als Halbleiter anbietet. Bild: ZF

Im Rahmen des Trends zur 800-Volt-Architektur steht bei ZF eine Leistungselektronik im Zentrum der Entwicklungen. Deren Hauptaufgabe ist die Umformung zwischen verschiedenen Arten elektrischer Energie. Statt auf Silizium-Transistoren setzt ZF auf Bauteile aus Siliziumcarbid.

Interne Schaltverluste bei Leistungselektroniken sollen sich nochmals senken lassen. Weil die Leistungselektronik beim elektrischen Fahren und Rekuperieren einen sehr hohen Energiedurchsatz habe, steige der Wirkungsgrad des gesamten elektrischen Antriebsstrangs, heißt es bei ZF. Erstmals hat das Unternehmen Siliziumcarbid-Leistungselektroniken in der Formel E eingesetzt. Aus dieser Rennsport-Klasse fließen die Erfahrungen und Erkenntnisse kontinuierlich in die Serienentwicklung ein.

Die 400-Volt-Architektur bleibt Standard im Volumenmarkt

Es zeichnet sich ab, dass sich bei künftigen Premiumfahrzeugen oder Sport-Stromern die 800-Volt-Architektur etabliert, wohingegen im Volumenmarkt weiterhin die 400-Volt-Architektur Standard bleibt“, sagt Bert Hellwig, bei ZF verantwortlich für die Systementwicklung elektrischer Antriebe. Für 400-Volt-Anwendungen liefere man bereits seit Jahren Serientechnologie, für 800-Volt-Anwendungen bereite man nun den Serienstart für dieses Jahr vor, so Hellwig weiter.

Derzeit arbeite man am Serienstart für mehrere 800-Volt-Projekte. „Für mehrere Modelle eines chinesischen Herstellers liefern wir den kompletten elektrischen Antriebsstrang inklusive Leistungselektronik. Und für einen europäischen Sportwagenhersteller steuert ZF die Leistungselektronik für eine Hochvolt-Anwendung bei“, so ZF-Experte Hellwig. Weitere Serienanläufe würden sich bereits abzeichnen.

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